k8凯发官网入口中芯国际 FinFET N+1 先进工艺关键突破:国产版「7nm 制程」不需要 EUV 光刻机
时间:2024-07-29 09:43:42关于N+1工艺□○…○,中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露●•◇★▪▽,该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似□…,且不需要EUV光刻机△△☆▪,但在性能方面提升还不够▽△▽,所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的k8凯发官网入口▼◆◇◆◁。其曾表示◆▷▽▪,中芯国际N+1工艺和14nm相比□-☆☆,性能提升20%••▪▷,功耗降低57%▽…■,而7nm市场基准性能提升应该是35%▽☆●◁☆●。
★☆■◆”其中写道=…◇▼▽:■★…“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功…□◁☆,IT之家获悉=▼◁□●,《珠海特区报》10月11日报道了《□…▼“国产芯◆▷◇-”突围刻不容缓》文章◆△▷=,不仅意味着具有自主知识产权的★○‘国产芯◆□●○▷’再次打破国外垄断■•◇▷,同时也说明◇▲☆‘国产版○◆●’的7nm芯片制造技术已经得到突破◇◆。
IT之家10月12日消息中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)昨天发布★□□◁•:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试-•△…,所有 IP 全自主国产=□■★■,功能一次测试通过▲◆▷■。
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